Nexperia publie des
Nimègue, le 20 avril 2023 : Nexperia, l'expert des semi-conducteurs essentiels, a présenté aujourd'hui une diode Schottky en carbure de silicium (SiC) de 650 V conçue pour les applications de puissance nécessitant des performances ultra-élevées, de faibles pertes et un rendement élevé. La diode Schottky SiC 10 A, 650 V est une pièce de qualité industrielle qui relève les défis des applications exigeantes à haute tension et à courant élevé. Ceux-ci comprennent des alimentations à découpage, des convertisseurs AC-DC et DC-DC, une infrastructure de charge de batterie, des alimentations sans interruption et des onduleurs photovoltaïques et permettent des opérations plus durables. Les centres de données, par exemple, équipés d'alimentations conçues à l'aide de la diode Schottky SiC PSC1065K de Nexperia seront mieux placés pour répondre à des normes d'efficacité énergétique rigoureuses que ceux utilisant uniquement des solutions à base de silicium.
Le PSC1065K offre des performances de pointe avec une commutation capacitive indépendante de la température et un comportement de récupération zéro aboutissant à une valeur de mérite exceptionnelle (QC x VF). Ses excellentes performances de commutation sont presque entièrement indépendantes des variations de courant et de vitesse de commutation. La structure fusionnée PiN Schottky (MPS) du PSC1065K offre des avantages supplémentaires, tels qu'une robustesse exceptionnelle contre les courants de surtension qui élimine le besoin de circuits de protection supplémentaires. Ces fonctionnalités réduisent considérablement la complexité du système et permettent aux concepteurs de matériel d'atteindre une efficacité supérieure avec des facteurs de forme plus petits dans des applications robustes à haute puissance. Les concepteurs peuvent être davantage rassurés par la réputation éprouvée de Nexperia en tant que fournisseur de produits de haute qualité dans une gamme de technologies de semi-conducteurs.
Cette diode Schottky SiC est encapsulée dans un boîtier en plastique de puissance traversant Real-2-Pin (R2P) TO-220-2. Les options de boîtier supplémentaires incluent le montage en surface (DPAK R2P et D2PAK R2P) et le trou traversant (TO-247-2) avec une véritable configuration à 2 broches qui améliore la fiabilité dans les applications haute tension à des températures allant jusqu'à 175 °C.
Katrin Feurle, directrice principale du groupe de produits SiC chez Nexperia, ajoute : « Nous sommes fiers de proposer une diode Schottky SiC hautes performances qui se classe parmi les meilleures solutions actuellement disponibles. Dans un monde de plus en plus soucieux de l'énergie, nous apportons un plus grand choix et une plus grande disponibilité sur le marché alors que la demande d'applications à haut volume et à haut rendement augmente considérablement.
Nexperia prévoit d'augmenter continuellement son portefeuille de diodes SiC en incluant des pièces de qualité automobile qui fonctionnent à des tensions de 650 V et 1 200 V avec des courants de l'ordre de 6 à 20 A. Des échantillons et des quantités de production des nouvelles diodes SiC sont disponibles dès maintenant.
Pour en savoir plus sur les nouvelles diodes Schottky SiC 650 V de Nexperia, rendez-vous sur : www.nexperia.com/sic_diodes
Vous pouvez également plonger plus profondément dans nos articles de blog "Pourquoi toutes les diodes Schottky SiC ne sont pas égales" et "8 raisons pour lesquelles les diodes au carbure de silicium surpassent leurs homologues au silicium".
Pour une comparaison du PSC1065K de Nexperia avec ses homologues MPS et JBS de premier plan, consultez ces graphiques :• Comportement de commutation• Efficacité dans la topologie de correction du facteur de puissance (PFC)• Excellente valeur de mérite
À propos de Nexperia
Nexperia est un expert de premier plan dans la production à haut volume de semi-conducteurs essentiels, des composants requis par toutes les conceptions électroniques dans le monde. Le vaste portefeuille de la société comprend des diodes, des transistors bipolaires, des dispositifs de protection ESD, des MOSFET, des GaN FET et des circuits intégrés analogiques et logiques. Basée à Nimègue, aux Pays-Bas, Nexperia expédie chaque année plus de 100 milliards de produits, répondant aux normes strictes établies par l'industrie automobile. Ces produits sont reconnus comme des références en matière d'efficacité - en termes de processus, de taille, de puissance et de performances - avec de petits boîtiers à la pointe de l'industrie qui permettent d'économiser de l'énergie et de l'espace.
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