Livraison du nouveau SiC embarqué à diode à barrière Schottky !

Mitsubishi Electric Corporation commencera à expédier des échantillons d'un nouveau module de transistor à effet de champ (MOSFET) métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET) à diode à barrière Schottky (SBD), doté d'une tension de tenue de type double de 3,3 kV et d'une rigidité diélectrique de 6,0 kVrms, le 31 mai.

Le nouveau module devrait prendre en charge une puissance, une efficacité et une fiabilité supérieures dans les systèmes d'onduleurs pour les grands équipements industriels tels que les chemins de fer et les systèmes d'alimentation électrique. Il sera exposé dans les principaux salons professionnels, notamment Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2023 à Nuremberg, en Allemagne, du 9 au 11 mai.

Mitsubishi Electric a déjà lancé quatre modules entièrement SiC et deux modules LV100 de type double haute tension de 3,3 kV. Afin de contribuer davantage à la puissance de sortie élevée, à l'efficacité et à la fiabilité des onduleurs pour les grands équipements industriels, la société commencera bientôt à fournir des échantillons de son nouveau module, qui réduit les pertes de commutation en tant que SiC-MOSFET avec un SBD intégré et une structure de boîtier optimisée.